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Resumen La influencia de la inserción de C en la interacción Dzyaloshinskii-Moriya (DMI), así como el movimiento de la pared del dominio inducido por corriente (DW) (CIDWM) y la inclinación en las pistas de carreras Pt / Co / Ta se investiga mediante un microscopio Kerr magnetoóptico. La fuerza de

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Resumen Óxido de galio beta de banda prohibida ultra ancha (β-Ga 2 O 3 ) ha atraído una atención considerable como material semiconductor prometedor para la electrónica de potencia de próxima generación. Posee excelentes propiedades de material, como un ancho de banda prohibida de 4,6 a 4,9 eV

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Resumen Reportamos la influencia del hidróxido de amonio (NH 4 OH), como aditivo de crecimiento, sobre nanomaterial de óxido de zinc a través de la respuesta óptica obtenida por fotoluminiscencia (PL). Se emplea un proceso hidrotermal de baja temperatura para el crecimiento de nanocables de ZnO

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Resumen Se adoptó un método sol-gel para obtener LiNi 0.5-x Ga x Mn 1.5 O 4 ( x =0, 0.04, 0.06, 0.08, 0.1) muestras. El efecto del dopaje con Ga en LiNi 0.5 Mn 1.5 O 4 y se investigó su contenido óptimo, y se discutieron las propiedades electroquímicas a temperatura ambiente y a alt

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