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Fotocatalizadores eficientes fabricados mediante decoración uniforme de nanopartículas de Cu2O en matrices de nanocables de Si con baja reflectividad visible

Resumen

Decoraciones altamente uniformadas de Cu 2 Se prepararon nanopartículas de O en las paredes laterales de nanocables de silicio (SiNW) con una relación de aspecto alta mediante una deposición no electrolítica en dos pasos a temperatura ambiente. Evoluciones morfológicas y rendimiento fotocatalítico de SiNW decorados con Cu 2 agregado y disperso Se revelaron nanopartículas de O y se identificó la cinética de fotodegradación correlacionada. En comparación con las cargas directas convencionales donde el Cu 2 agregado Se crearon estructuras O / SiNW, la incorporación uniforme de Cu 2 O con SiNW exhibió más de tres y nueve veces de eficiencia de fotodegradación mejorada que el Cu 2 agregado O / SiNW y único SiNW, respectivamente.

Antecedentes

Cu 2 Las nanoestructuras de O, con energía de banda prohibida directa de 2,0-2,2 eV, han surgido como los materiales fotocatalíticos eficientes que podrían descomponer los contaminantes orgánicos directamente a través de la activación de la luz visible [1, 2, 3, 4]. Los efectos beneficiados también se correlacionaron con su aceptabilidad ambiental, baja toxicidad y disponibilidad sostenible, lo que podría ser potencial para muchas aplicaciones prácticas, incluida la producción de hidrógeno, las células solares y la detección química [5, 6, 7]. Sin embargo, estas características estaban limitadas por la inestabilidad de uso y la irrepetibilidad debido a la agregación prevista o cambios morfológicos significativos de las nanoestructuras al operar en un entorno acuoso. En este sentido, los partidarios que permitieron dispersar el fotoactivo Cu 2 Se consideró que las nanoestructuras de O de manera sable eran altamente deseables, lo que podría mantener la capacidad a largo plazo del proceso de fotodegradación de contaminantes orgánicos y representaba la plataforma reproducible, eficiente y confiable para el requisito práctico de la operación fotocatalítica.

Los nanocables de silicio (SiNW), con buena hidrofilia superficial, robustez mecánica y estabilidad química podrían ser los materiales de apoyo potenciales para fortalecer la actividad fotocatalítica de Cu 2 O nanoestructuras, lo que representa un diseño prometedor de fotocatalizadores sensibles al visible [8,9,10,11,12]. Además, los SiNW poseían además una capacidad de absorción muy visible debido al confinamiento de las luces incidentes a través de los efectos de la dispersión múltiple [11]. Sin embargo, las dificultades de procesamiento radicaban en la falta de uniformidad de la deposición de Cu 2 O nanopartículas en las paredes laterales de los SiNW que utilizan el procesamiento económico basado en solución debido a la naturaleza de la alta relación de aspecto en los SiNW. Por lo tanto, en este estudio, tales limitaciones se superaron adaptando la deposición no electrolítica de dos pasos para lograr la incorporación uniforme de nanopartículas de óxido de Cu con las matrices de SiNW. Además, la formación controlada de Cu 2 heteroestructurales de tipo n El Si de tipo O / p podría ser particularmente potencial para actuar como fotocatalizadores eficientes [13] porque los electrones fotoexcitados y los huecos podrían separarse para iniciar la reacción de fotodegradación de la eliminación del tinte antes de la recombinación rápida del portador [14, 15]. Con base en tales diseños, se realizaron investigaciones de morfologías de superficie, composiciones químicas y análisis cristalográficos para caracterizar el Cu 2 sintetizado. Nanoestructuras de O / Si.

A continuación, las propiedades fotoluminiscentes y de reflexión de la luz del Cu 2 Se midieron matrices O / SiNW para identificar las propiedades de la luz y examinar las influencias de agregar Cu 2 O nanopartículas sobre la disminución de la recombinación de portadores fotogenerados. Además, se realizaron mediciones de fotocorriente para aclarar la separación del portador de Cu 2 Heteroestructuras O / SiNW bajo iluminaciones ligeras. Finalmente, se realizaron las evaluaciones fotocatalíticas detalladas, que aclararon la reactividad fotocatalítica eficiente de los tintes orgánicos degradantes y explicaron el mecanismo de fotodegradación involucrado de dichos fotocatalizadores nanoestructurados.

Métodos / Experimental

Materiales

El sustrato de Si utilizado fue Si de tipo p (100) elaborado con el proceso de Czochralski. Se utilizaron nitrato de plata (99,85%, Acros Organics, Geel, Bélgica), ácido fluorhídrico (48%, Fisher Scientific Reino Unido, Loughborough, Reino Unido) y ácido nítrico (65%, AppliChem PanReac, Alemania) para la fabricación de matrices de nanocables de Si . CuSO 4 (98 +%, Acros Organic, Geel, Bélgica) y ácido fluorhídrico se utilizaron en la síntesis de Cu 2 O nanopartículas. Se utilizó azul de metileno (puro, Acros Organics, Geel, Bélgica) para la prueba de fotodegradación.

Fabricación de matrices de nanocables Si

Las matrices de SiNW se prepararon sumergiendo los sustratos de Si (100) de tipo p recién limpiados en las soluciones mixtas (20 ml) que contienen 0,02 M de AgNO 3 y 4,8 M de HF bajo suave agitación magnética a temperatura ambiente. Posteriormente, las muestras se enjuagaron con agua desionizada (DI) y luego se sumergieron en el ácido nítrico concentrado (63%) durante 15 min con el fin de eliminar por completo las partículas residuales de Ag. Finalmente, los SiNW preparados se enjuagaron con agua desionizada y se conservaron en la cámara de vacío.

Síntesis de Cu 2 O nanopartículas

La deposición sin electricidad de Cu se realizó mediante dos métodos distintos. En el método 1, los SiNW recién grabados se sumergieron directamente en las soluciones acuosas (20 ml) con 0,047 g (0,015 M) de CuSO 4 polvos y 4,5 M de HF durante 3 min. Esto facilitó la reducción de Cu 2+ iones preferentemente en los agregados de Cu creados principalmente y, por lo tanto, limitaron la incorporación de Cu 2 al pozo O nanopartículas en matrices de SiNW. Las muestras preparadas se describieron como agregado-Cu 2 O / SiNWs (A-Cu 2 O / SiNWs). En el método 2, los nanocables de Si preparados se sumergieron en 0,015 M de CuSO 4 soluciones (20 ml) durante 15 min y seguido de la introducción suave de HF (4,5 M) para iniciar la reducción de Cu 2+ iones. Mediante la separación de la introducción de Cu 2+ iones y grabadores de HF en los procesos secuenciales, cada Cu 2+ / Si se activaron para la reducción electrolítica de Cu 2+ iones, que esencialmente llevaron a la formación de nanopartículas de Cu bien dispersas directamente en matrices de SiNW. Las nanoestructuras formadas preparadas con el método 2 se describieron como Cu 2 disperso O / SiNWs (D-Cu 2 O / SiNWs). Después de realizar la deposición no electrolítica, todas las muestras fabricadas se enjuagaron en agua desionizada y luego se sometieron al horno a 90 ° C para oxidación térmica (30 min).

Caracterizaciones

La morfología y las composiciones químicas de los fotocatalizadores preparados se caracterizaron con microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FESEM; Hitachi JSM-6390) y espectrómetro de rayos X de dispersión de energía (EDX) (Oxford INCA 350), respectivamente. Antes de la investigación de SEM, las muestras se depositaron con una fina capa de Au para mejorar la resolución de la imagen. Se realizó además un microscopio electrónico de transmisión (TEM; JEM-2100F) para caracterizar las morfologías de la superficie de las muestras. Las muestras se rasparon cuidadosamente de los sustratos y se dispersaron en etanol usando un ultrasonicador, y luego las soluciones dispersas se sumergieron en las rejillas TEM. Las caracterizaciones cristalográficas se realizaron con el difractómetro de rayos X Rigaku Multiflex utilizando la radiación Cu-K. Los espectros de reflexión de la luz se midieron con un espectrofotómetro UV-Vis-NIR (Varian, Cary 5000, Australia). Se llevaron a cabo experimentos fotocatalíticos de varios fotocatalizadores híbridos con un fotorreactor multilamp PanChum (PR-2000) bajo la iluminación de una fuente de luz con una longitud de onda central de 580 nm. En cada prueba, se utilizaron 0,2 mM de azul de metileno (MB) como dianas de prueba. Antes de las irradiaciones de luz, las muestras se colocaron en la oscuridad durante 40 min para establecer el equilibrio de adsorción, como se presenta en el Archivo Adicional 1. En las pruebas de fotodegradación, en cada intervalo de tiempo, se extrajo 0.1 ml de suspensión y luego se diluyó con 5 ml de agua destilada. Las concentraciones de colorantes MB se evaluaron con espectrofotómetro UV / visible (Shimadzu UV-2401 PC).

Resultados y discusión

La Figura 1 ilustró dos depósitos no electrolíticos diferentes de Cu en SiNW, lo que permitió la formación de distintas morfologías de depósito. Sumergiendo directamente las muestras de SiNW que fueron fabricadas con grabado químico asistido por plata [16,17,18,19,20,21,22,23] en el Cu 2+ mezclado / Soluciones HF, la reducción inmediata de Cu 2+ Se produjeron iones directamente en las puntas de los nanocables expuestos, como se muestra a continuación,

$$ {\ mathrm {Cu}} ^ {2 +} + 2 {\ mathrm {e}} ^ {\ hbox {-}} \ kern0.5em \ to \ kern0.5em \ mathrm {Cu} \ kern2.75em {\ mathrm {E}} ^ 0 =+ 0.34 \ \ mathrm {V} \ kern1.00em $$ (1) $$ {\ mathrm {Si}} _ {\ left (\ mathrm {s} \ right)} +2 {\ mathrm {H}} _ 2 \ mathrm {O} \ kern0.5em \ to \ kern0.5em {\ mathrm {Si} \ mathrm {O}} _ {2 \ left (\ mathrm {s} \ right )} + 4 {\ mathrm {H}} ^ {+} + 4 {\ mathrm {e}} ^ {\ hbox {-} \ kern5.5em} {\ mathrm {E}} ^ 0 =\ hbox {- } 1.24 \ \ mathrm {V} $$ (2) $$ {\ mathrm {SiO}} _ 2+ \ mathrm {HF} \ kern0.5em \ to \ kern0.5em {\ mathrm {H}} _ 2 {\ mathrm { SiF}} _ 6 + 2 {\ mathrm {H}} _ 2 \ mathrm {O} $$ (3)

Ilustraciones esquemáticas para la formación de a Cu 2 agregado O y b Cu 2 disperso O nanoalambres de Si decorados. c , d Las imágenes SEM de Cu 2 agregado Matrices O / SiNW (A-Cu 2 O / SiNWs) y Cu 2 disperso Matrices O / SiNW (D-Cu 2 O / SiNWs), respectivamente

Por lo tanto, dio lugar a agregaciones de Cu en las superficies superiores de SiNW. La reducción exitosa de Cu 2+ Los iones ocurrieron preferentemente cerca de estos agregados de Cu formados principalmente, donde la transferencia efectiva de agujeros de Cu 2+ recién llegado iones en Si se facilitó, como se presenta en la Fig. 1a. Mientras tanto, la difusión de Cu 2+ Los reactantes de / HF se volvieron para alcanzar apenas los lados inferiores de SiNW debido al impedimento estérico involucrado de las nanopartículas de Cu existentes. Estos efectos combinados podrían limitar la posible formación de decoración de pozos de Cu 2 O nanopartículas en matrices de SiNW después de experimentar el tratamiento térmico, que por lo tanto degradó su actividad fotocatalítica.

La Figura 1b presentó la posible vía no electrolítica que redujo significativamente la formación agregada de nanopartículas de Cu que estaban confinadas localmente en las puntas de los nanocables. Esto se logró separando las introducciones de Cu 2+ iones y atacantes de HF en los procesos secuenciales. En consecuencia, la incorporación de Cu 2+ iones con SiNWs facilitaron la reducción uniforme de Cu 2+ iones iniciados mediante la adición de soluciones de HF, donde cada Cu 2+ / Si la interfaz podría activarse para la deposición no electrolítica. Evidentemente, las distintas morfologías de Cu 2 Las nanopartículas de O formadas en matrices de SiNW se presentaron en la Fig. 1c, d, respectivamente. En comparación con el Cu 2 agregado O nanopartículas predominantemente en las puntas de los nanocables (Fig. 1c), las incorporaciones de Cu 2 Las nanopartículas de O con matrices de SiNW preparadas con deposición no electrolítica en dos pasos parecían estar altamente uniformadas a lo largo de las paredes laterales de los nanocables, como se muestra en la Fig. 1d. Estas características se pudieron observar claramente en la imagen SEM de gran aumento, como se presenta en el archivo adicional 1.

Las caracterizaciones de microcomposición se examinaron adicionalmente usando análisis de rayos X de dispersión de energía (EDS), mostrando los tres picos elementales característicos, O, Cu y Si sin las observaciones de otros componentes, como se demuestra en la Fig. 2a. Además, una investigación TEM representativa de Cu 2 Los nanocables de Si decorados con O aclararon aún más la sólida formación de estas nanoestructuras híbridas con distribuciones espaciales sólidas de nanopartículas decoradas, como se muestra en el inserto de la Fig. 2a. Para caracterizar la cristalográfica de Cu 2 formado O nanopartículas, se realizaron análisis XRD, como se muestra en la Fig. 2b. Los resultados identificaron claramente la característica Cu 2 O patrones de difracción con índices de planos correlacionados de (111), (200) y (220) que aparecen tanto en el Cu 2 agregado (Fig. 1c) como en el dispersado (Fig. 1d) Matrices O / SiNW, respectivamente. El pico a 51 ° en los patrones de XRD se originó a partir de (200) planos de Cu cristalino debido al lado interno de Cu 2 O que fueron incapaces de oxidarse completamente mediante el tratamiento térmico. Además, se midió la reflectividad óptica resultante, lo que indica que las distintas propiedades de reflexión de la luz del Cu 2 agregado y disperso Matrices O / SiNW, como se presenta en la Fig. 2c. La reflectancia de luz muy baja del Cu 2 disperso Arreglos O / SiNW cuya reflectividad promedio fue del 3.8%, que fue solo un poco más alta que la de los arreglos únicos de SiNW (reflectividad promedio =1.4%).

un Espectro EDS de Cu 2 disperso Matrices O / SiNW. La figura insertada era la imagen TEM correspondiente. b Análisis XRD, c reflectividad de la luz y d resultados fotoluminiscentes, e mejora de la fotocorriente ( I fotocorriente - yo corriente oscura ) y f distribuciones de tamaño de las muestras

Sin embargo, el Cu 2 agregado Las matrices O / SiNW poseían una alta reflectividad que cubría todas las regiones espectrales medidas (reflectividad media =7,7%) debido a la fuerte reflexión de las luces entrantes directamente del Cu 2 O se agrega en las tapas de SiNW, lo que podría degradar significativamente la interacción efectiva de luces / fotocatalizadores. Además, se realizó un análisis fotoluminiscente (PL). Se encontró que todas las muestras demostraron el pico PL centrado en 522 nm, mientras que las correspondientes intensidades PL de ambos D-Cu 2 O / SiNWs y A-Cu 2 Los O / SiNW fueron mucho más bajos que los de los únicos SiNW, como se muestra en la Fig. 2d. Estas características implicaron que la recombinación de portadores fotogenerados se redujo en gran medida debido a la introducción de Cu 2 Heteroestructuras O / SiNW. Por otro lado, en comparación con D-Cu 2 O / SiNW, se observó una intensidad de PL ligeramente más baja de A-Cu 2 O / SiNW, que podría atribuirse a la fuerte reflexión de las luces entrantes ocurrieron en la parte superior Cu 2 O agregados, disminuyendo así la posibilidad de emisión de luz. Las posibles vías de interacción entre las luces entrantes y las muestras se pueden encontrar en el archivo adicional 1. Además, las mediciones de las fotocorriente se realizaron para aclarar la separación del portador de Cu 2 Heteroestructuras O / SiNW bajo iluminaciones ligeras, como se presenta en la Fig. 2e. Se encontró que la mejora de la fotocorriente, evaluada por I fotocorriente - yo corriente oscura , era 0,216 mA (solo SiNW), 0,527 mA (A-Cu 2 O / SiNWs) y 0,823 mA (D-Cu 2 O / SiNWs) con un sesgo de 4 V.Estos resultados respaldaron claramente nuestros hallazgos de la reflectividad de la luz y las mediciones de PL, donde la separación efectiva de los portadores fotoexcitados ocurrió en D-Cu 2 O / SiNW que contribuyeron a la mejora de la fotocorriente.

Tamaños de partículas de Cu 2 formado O se examinaron más a fondo, como se demuestra en la Fig. 2f. Se encontró que las distribuciones de tamaño de Cu 2 O nanopartículas por dos métodos diferentes descritos en la Fig. 1a, b estaban bastante cerca entre sí, donde las dimensiones promedio evaluadas con accesorios gaussianos de Cu 2 agregado y disperso Las matrices O / SiNW fueron de 41,5 nm y 36,4 nm, respectivamente. Esto podría explicar el mecanismo de nucleación similar de las nanopartículas de Cu a partir de estos dos métodos de deposición. Además, la figura 3 demostró las morfologías y los resultados de XRD de Cu 2 Si plano cargado con O En comparación con las abundantes superficies proporcionadas por SiNW de alta relación de aspecto, lo que facilitó la creación de numerosos sitios de hetero-nucleación de Cu 2 O semillas, los tamaños comparativamente grandes de Cu 2 Se podrían formar nanopartículas de O con dimensiones promedio de 64,2 nm sobre sustratos planos de Si, como se evidencia en la Fig. 3a. Además, a partir de los patrones XRD se pudieron observar los obvios picos de difracción metálicos de Cu (200), que identificaron la transición incompleta de la oxidación del cobre a través de un tratamiento térmico debido a la existencia de características altamente densas de las semillas generadas a través de la deposición de Cu no electrolítico, como se presenta en Figura 3b. Esto volvió a aclarar las influencias de la incorporación de nanoestructuras de Si para ayudar a la generación de Cu 2 funcional O nanopartículas con distribuciones espaciales sonoras.

un Imagen SEM de vista superior y b Patrón XRD de sustratos planos de Si recubiertos con Cu 2 O nanopartículas

Evaluaciones de la actividad fotocatalítica de Cu 2 En la Fig. 4a se demostraron matrices de SiNW decoradas con O con distintas morfologías de deposición. En los experimentos de control, también se realizaron mediciones similares en presencia de matrices de SiNW descargadas y Cu 2 Si plano cargado con O, respectivamente. Se pudo observar claramente que el D-Cu 2 Los fotocatalizadores O / SiNW presentaron la degradación fotoactiva superior de los tintes MB y la disminución significativa del pico de absorción de los tintes MB en presencia de D-Cu 2 También se pueden encontrar O / SiNW bajo iluminaciones ligeras en la Fig. 4b. De las comparaciones presentadas en la Fig. 4a, los tintes MB restantes después de 100 minutos de reacción son 34,7% en D-Cu 2 O / SiNW, 55,4% en A-Cu 2 O / SiNWs, 62,1% en Cu 2 Si plano cargado con O y 77,1% en SiNW puro, respectivamente. Bajo iluminaciones de luz, los SiNW fotoactivados podrían generar pares de electrones y huecos. La recombinación de carga dominaría entonces las reacciones fotoquímicas y, por lo tanto, [24], la eficiencia de fotodegradación resultante estaba muy limitada en presencia de una matriz de SiNW pura como fotocatalizadores. Con la decoración de Cu 2 O nanopartículas en SiNWs, la recombinación de electrones-hueco se retardó eficazmente mediante la eliminación de los electrones fotogenerados [25, 26]. Esta conclusión podría estar respaldada por las tasas de fotodegradación mejoradas de tres Cu 2 Si incorporado en O, como se muestra en la Fig. 4a. Además, las características agregadas de Cu 2 Las nanopartículas de O en las puntas de SiNW inhibirían la absorción efectiva de luz, suprimiendo así la actividad de los fotocatalizadores para la degradación del tinte, como se encuentra en la prueba fotocatalítica de A-Cu 2 O / SiNWs. Además, a partir del análisis del limpiador, confirmamos que la fotodegradación de los tintes MB fue principalmente contribuida por los electrones fotogenerados, como se muestra en el archivo adicional 1.

un Ensayos fotocatalíticos de cuatro fotocatalizadores distintos. b Cambios de espectros de absorción y c el modelado cinético correlacionado en presencia de D-Cu 2 Arreglos O / SiNW en varias duraciones de iluminaciones de luz. La figura de inserción en b presentó el cambio de color de las soluciones de tinte de 0 a 80 min. d Comparaciones de las constantes de velocidad de fotodegradación. e Diagrama de bandas de Cu 2 Heteroestructuras O / SiNW

Para desvelar aún más la cinética de reacción de la degradación del tinte y evaluar la constante de reacción involucrada, se examinaron tres posibles modelos cinéticos, incluido el modelo cinético de primer orden, el modelo cinético de segundo orden y el modelo cinético de Langmuir-Hinshelwood, como se indica a continuación,

Modelo cinético de primer orden [27]:

$$ {\ mathrm {lnC}} _ ​​{\ mathrm {t}} =\ hbox {-} {\ mathrm {k}} _ 1 \ mathrm {t} + {\ mathrm {lnC}} _ ​​0 $$ (4)

Modelo cinético de segundo orden [28]:

$$ 1 / {C} _ {\ mathrm {t}} ={k} _2t + 1 / {C} _0 $$ (5)

Modelo cinético de Langumuir-Hinshelwood [29]:

$$ \ ln \ left ({C} _ {\ mathrm {t}} / {C} _0 \ right) + {K} _ {\ mathrm {L}} \ left ({C} _0 \ hbox {-} {C} _ {\ mathrm {t}} \ right) =\ hbox {-} {k} _3 {K} _ {\ mathrm {L}} t $$ (6)

en el que k 1 , k 2 y k 3 son las constantes de velocidad cinética de primer orden, segundo orden y Langmuir-Hinshelwood, respectivamente. Las concentraciones de tintes se indican como C 0 en el tiempo de reacción =0 y C t en el tiempo de reacción = t . Además, K L representa la constante de equilibrio de absorción de Langmuir. Los resultados se resumen en la Fig. 4c, donde los coeficientes de correlación correspondientes (R 2 ) fueron 0,82 en el modelo cinético de primer orden, 0,96 en el modelo cinético de segundo orden y 0,71 en el modelo cinético de Langmuir-Hinshelwood.

Estos hallazgos verificaron claramente que la cinética de fotodegradación de tintes MB usando Cu 2 Las matrices de SiNW decoradas con O correspondían al modelo cinético de segundo orden. Por lo tanto, la constante de reacción explícita podría evaluarse, lo que indica que el valor más pronunciado que aparece en el D-Cu 2 Matrices O / SiNW, como se muestra en la Fig. 4d. Estos efectos explicaron las influencias significativas en la incorporación espacial de Cu 2 O con huéspedes SiNW, lo que podría actuar como una regla decisiva para la eliminación del tinte. Según las investigaciones detalladas, la fotodegradación de los tintes MB en presencia de Cu 2 Se podrían dilucidar las matrices O / SiNW, como se ilustra en la Fig. 4e. Los electrones fotoexcitados y los agujeros de los SiNW altamente absorbentes de luz podrían separarse de manera eficiente, donde los electrones fotogenerados se transfirieron energéticamente a la banda de conducción de Cu 2 O nanopartículas, iniciando así la fotodegradación de los tintes MB. Por lo tanto, el Cu 2 uniforme Las dispersiones de O facilitaron tal separación de portadores que permitió reducir efectivamente la recombinación de huecos de electrones. Además, estas características dispersas también permitieron la alta profundidad de penetración de las luces entrantes irradiadas sobre estructuras de nanocables, lo que resultó favorable para la mejora de la eficiencia en el proceso fotocatalítico. Finalmente, hemos realizado los experimentos de fotodegradación repetidos, denominados como primera ejecución, segunda ejecución y tercera ejecución, y las correspondientes mediciones de XRD junto con las imágenes SEM correspondientes después de cada prueba de fotodegradación se presentaron en el archivo adicional 1:Figura S5 y S6, respectivamente. Los resultados anteriores evidenciaron además que los fotocatalizadores podrían poseer de manera estable y confiable la fotodegradación de los tintes MB.

Conclusiones

En conclusión, demostramos fotocatalizadores eficientes de conducción visible con una deposición no electrolítica de dos pasos fácil, económica y confiable para la producción de grandes áreas. Estos híbridos Cu 2 Matrices O / SiNW con Cu 2 uniforme Las decoraciones O fueron factibles para reducir la recombinación de portadores fotogenerados bajo irradiaciones de luz visible. Las investigaciones de la cinética de la fotodegradación, junto con un proceso sintético fácil, podrían beneficiar el desarrollo de sustratos fotoactivos miniaturizados y de alto rendimiento para diversas aplicaciones, incluido el tratamiento de agua, la división de agua y otros dispositivos funcionales.

Abreviaturas

A:

Agregado

D:

Dispersas

DI:

Desionizado

EDS:

Rayos X de energía dispersiva

FESEM:

Microscopía electrónica de barrido por emisión de campo

SiNW:

Nanocables de silicio

TEM:

Microscopía electrónica de transmisión

XRD:

Difracción de rayos X

PL:

Fotoluminiscente


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