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Absorción óptica mejorada en células solares en tándem de perovskita / Si con matriz de nanoagujeros

Resumen

Las células solares de perovskita se utilizan en células solares en tándem basadas en silicio debido a su banda prohibida sintonizable, alto coeficiente de absorción y bajo costo de preparación. Sin embargo, el índice de refracción óptico relativamente grande del silicio inferior, en comparación con el de las capas absorbentes de perovskita superiores, da como resultado pérdidas de reflexión significativas en los dispositivos de dos terminales. Por lo tanto, la gestión de la luz es crucial para mejorar la absorción de la fotocorriente en la celda del fondo de Si. En este documento, la matriz de nanoagujeros rellena con TiO 2 se introduce en el diseño de las celdas inferiores. Mediante métodos en el dominio del tiempo de diferencias finitas, se ha analizado la eficiencia de absorción y la densidad de fotocorriente en el rango de 300-1100 nm, y también se han optimizado los parámetros estructurales. Nuestros cálculos muestran la densidad de fotocorriente que tiende a saturarse con el aumento de la altura de los nanoagujeros. Los modos de mejora de la absorción de fotones en diferentes longitudes de onda se han analizado intuitivamente mediante la distribución del campo eléctrico. Estos resultados permiten una ruta viable y conveniente hacia el diseño de alta eficiencia de células solares en tándem de perovskita / Si.

Introducción

La energía solar es un tipo de energía renovable y limpia, de gran importancia para el desarrollo sostenible de los seres humanos. La eficiencia de la conversión fotoeléctrica y el costo de preparación son las razones clave que determinan la aplicación industrial de las células solares, que convierten directamente la energía luminosa en electricidad. En la actualidad, las células solares basadas en silicio son la corriente principal de las células solares y representan el 90% del mercado fotovoltaico mundial. La eficiencia de las células solares basadas en silicio ha alcanzado el 25,6%, cerca del límite de eficiencia de Shockley-Queisser (33,7%), pero el coste de fabricación sigue siendo elevado [1, 2]. El desarrollo de células solares basadas en silicio debe reducir los costes de fabricación y mejorar la eficiencia de las células.

Debido a la amplia distribución de energía del espectro solar, cualquier material semiconductor solo puede absorber fotones cuyo valor energético sea más amplio que su ancho de banda prohibida. Por lo tanto, un enfoque probado para hacer un mejor uso del espectro solar es formar una célula solar en tándem de unión dual [3, 4]. En principio, las células solares en tándem de Si pueden absorber selectivamente diferentes partes del espectro solar y superar el Shockley-Queisser de unión única. Se ha informado que la eficiencia límite teórica de la célula solar en tándem de silicio ideal de dos uniones es del 46% [5,6,7].

Las células solares de perovskita tienen un gran potencial fotovoltaico y su rendimiento se ha mejorado significativamente en tan solo unos años. La eficiencia de conversión fotoeléctrica es del 3,7% en 2009, y la eficiencia ha sido de hasta el 25,2% hasta ahora [8,9,10]. La perovskita también se considera el material absorbente de luz más prometedor para la próxima generación de células solares de bajo costo. Cuando el ancho de banda prohibida de la perovskita es de 1,55 eV, puede absorber fotones con una longitud de onda inferior a 800 nm, mientras que el silicio con una banda prohibida de 1,12 eV puede absorber fotones con una longitud de onda superior a 800 nm en el espectro solar. Cuando los dos forman una celda en tándem de arriba a abajo, sus espectros de absorción se complementan entre sí, lo que mejora en gran medida la utilización del espectro solar y reduce el costo de preparación [11,12,13,14].

Entre todos los tipos de células solares en tándem de perovskita / silicio, el tándem monolítico de dos terminales tiene el mayor potencial porque se puede fabricar depositando directamente una película de perovskita en una celda de fondo de silicio para obtener una integrada. Bush y col. logró una eficiencia del 23,6% en una celda inferior SHJ de emisor trasero con una celda superior de perovskita p-i-n con E g =1,63 ev desde la reducción de la absorción parásita en la capa frontal selectiva de electrones. Además, Oxford PV alcanzó una eficiencia de conversión de energía del 28% en 2018, lo que validó aún más que el tándem perovskita / silicio tiene un gran potencial para revolucionar las tecnologías de células solares [15,16,17]. Sin embargo, en comparación con las células solares basadas en silicio, que pueden alcanzar el 85% de la eficiencia límite, las células en tándem basadas en perovskita / silicio todavía tienen mucho margen para mejorar la eficiencia. La mayoría de los estudios sobre celdas en tándem de perovskita / silicio se centran en el diseño de la celda superior y la unión de túnel, mientras que la celda inferior adopta principalmente la superficie texturizada o SiN x capa para mejorar la absorción óptica [18, 19]. Vale la pena señalar que una forma eficaz de mejorar la absorción selectiva es incorporar la luz incidente en el modo guiado por ondas [20]. Para los propósitos anteriores, introducimos una matriz de nanoagujeros en el diseño de la subcélula inferior. Al mismo tiempo, en comparación con la superficie de textura normal, la superficie de la matriz de nanoagujeros de silicio es más suave, lo que favorece más la correspondencia de corriente entre las celdas superior e inferior [21, 22].

Métodos

En esta carta, estudiamos numéricamente las propiedades de absorción de luz del dispositivo en tándem de perovskita / silicio con una matriz de nanoagujeros de silicio como celdas inferiores mediante el empleo del método de dominio de tiempo de diferencia finita (FDTD). Las figuras 1 y 2 muestran el esquema de las células de tándems de perovskita / silicio con estructura de nanoagujeros y la vista lateral de un período individual, respectivamente.

Esquema de células en tándems de perovskita / silicio estructuradas con nanoagujeros utilizadas en el modelo

un Esquema de la matriz de nanoagujeros utilizada en el modelo. b Vista lateral 2D de un período individual

En nuestro modelo, la matriz de nanoagujeros se llena con TiO 2 como capa de túnel entre dos uniones. Centrar el estudio en las propiedades ópticas de la subcélula nanoestructurada, el espesor de ITO, Spiro-OMeTAD, CH 3 NH 3 PbI 3 , SiO 2 y TiO 2 se fijan como 50 nm, 10 nm, 300 nm, 20 nm, 40 nm, respectivamente. Como se muestra en la Fig.2, la matriz se puede caracterizar por la periodicidad ( P ), el diámetro de los nanoagujeros ( D ), la altura de los nanoagujeros ( h ) y altura total del sustrato de silicio ( H ). La proporción de llenado se define como \ (\ eta =D / P \). La altura total del sustrato de silicio H se fija en 1 μm. Además, las constantes ópticas del silicio y otros materiales utilizados en el diseño de células son de la investigación de F Miha [23]. Se adoptan condiciones de contorno periódicas en las direcciones xey y se aplican condiciones de contorno de capa perfectamente adaptadas en la dirección z. Se considera que la fuente de luz es una fuente de onda plana que varía de 300 a 1100 nm, perpendicular a la matriz de nanoagujeros a lo largo de la z dirección.

Se aplica un monitor plano sobre la superficie de la celda superior para registrar la reflectancia ( R ), y un segundo monitor en la parte inferior del sustrato de silicio registra la transmitancia ( T ); la absorción ( A ) de los tándems de perovskita / silicio está determinada por \ (A (\ lambda) =1 - R (\ lambda) - T (\ lambda) \). El rendimiento de absorción se evaluará mediante la densidad de corriente de cortocircuito \ (J _ {{{\ text {sc}}}} \), que se define como [14]:

$$ J _ {{{\ text {sc}}}} =\ frac {e} {hc} \ int _ {{\ lambda _ {{\ min}}}} ^ {{\ lambda _ {{\ max}}}} {\ lambda A (\ lambda) \ Phi (\ lambda) {\ text {d}} _ {\ lambda}} $$ (1)

donde \ (\ Phi (\ lambda) \) es el espectro de densidad de energía solar de AM1.5G, e es la carga elemental, h es la constante de Planck y c es la velocidad de la luz en el vacío. El cálculo se asume que todos los portadores fotogenerados son recolectados por electrodos ya que la longitud de difusión de los portadores minoritarios es lo suficientemente larga en CH 3 NH 3 PbI 3 y silicio cristalino.

Resultados y discusión

Con el fin de aclarar el papel que juega la matriz de nanoagujeros en la absorción de luz en las células solares en tándem y para guiar adecuadamente el diseño de las propiedades ópticas, hemos calculado la curva de absorción de la matriz de nanoagujeros bajo diferentes proporciones de llenado. En el proceso de simulación del experimento, un CH 3 de 300 nm NH 3 PbI 3 Se aplicó una capa y un sustrato de silicio de 1 μm para capturar fotones. Como se muestra en la Fig. 3a, b, la altura de los nanoagujeros inferiores permaneció quieta en la cifra de 600 nm frente a los diferentes períodos de tiempo, respectivamente. Con el valor creciente de la proporción de llenado de 0,1 a 0,9, la curva de absorción se puede dividir en tres partes. Al principio, la absorción presentó un rendimiento decreciente en un rango de longitud de onda corta de 300 a 600 nm. Luego, se observó que la absorción de la capa de perovskita formaba una disminución en el rango de 600 a 850 nm, mientras que la resonancia, por el contrario, alcanza su punto máximo en su punto inicial de 600 nm. Las terceras partes caen en el rango de 850-1100 nm y contiene tres picos de resonancia de absorción en total. Teniendo en cuenta que la limitación del dominio de la capa de perovskita sobre la absorción de longitudes de onda podría alcanzar hasta 850 nm, ese valor también puede considerarse como la longitud de onda umbral de CH 3 NH 3 PbI 3 en nuestro modelo.

Caracterización óptica de células solares en tándem con arreglo de nanoagujeros. un Espectros de absorción versus proporciones de llenado en P fijo =400 nm y h =600 nm. b Espectros de absorción versus proporciones de llenado en P fijo =500 nm y h =600 nm. c Densidad de fotocorriente frente a relaciones de llenado en diferentes períodos. d Aumento de la densidad de fotocorriente frente a las proporciones de llenado bajo la condición de P =500 millas náuticas

En la Fig. 3c, se puede ver que la densidad de fotocorriente y η muestran una correlación positiva, lo que significa que aumentará con el aumento de η. En cuanto al parámetro de período fijo, el aumento en la densidad de corriente primero parece estar en una etapa de rápido crecimiento, y \ (J_ {i} \) ingresa gradualmente al rango de saturación donde la relación de llenado es mayor que 0.5 debido a la distribución desigual de longitudes de onda largas y cortas en AM1.5G. Con el valor creciente de la relación de llenado, la eficiencia de absorción del sustrato de silicio también se mejoró en consecuencia; sin embargo, el material de silicio parece disminuir en un solo período. Por lo tanto, la proporción de llenado de la matriz de nanoagujeros de silicio debería ser un valor óptimo. El pico de absorción de resonancia alcanza el valor de cerca de 1000 nm en el espectro, y el pico puede considerarse como el alcance de su máximo cuando el período es de 500 nm en comparación con el de otras dos condiciones. La Figura 3d muestra que la curva de la densidad de la fotocorriente aumenta junto con la proporción de llenado en aumento en la condición en que P =500 nm. Además, la línea roja se puede obtener mediante el ajuste del polinomio. Se puede concluir que cuando la proporción de llenado alcance exactamente 0,5, aparecerá un punto de inflexión en el crecimiento de la densidad de fotocorriente.

De acuerdo con el análisis anterior, los parámetros de absorción optimizados de las células en tándem sobre la base de la matriz de nanoagujeros se encuentran en el período de 500 nm y la relación de llenado está en la cifra exacta de 0,5. Para aclarar aún más el mecanismo de emisión de la absorción de luz, los espectros de absorción frente a las diferentes alturas de nanoagujeros se comparan en la condición mencionada. La Figura 3a, b muestra el cambio de la tendencia de variación de la absorción espectral y la densidad de la fotocorriente junto con el aumento de la altura de los nanoagujeros, respectivamente. Se puede resumir que el pico de absorción a la longitud de onda de 1000 nm muestra una alta dependencia con la altura de los nanoagujeros, mientras que la dependencia de los otros dos picos de absorción mostrados en la Fig. 4b con la altura de los nanoagujeros es muy débil. Tal resultado indica que la resonancia de Mie domina la excitación. En la Fig. 4c, d, se puede observar que el aumento significativo de la densidad de corriente aumenta de 14,53 a 15,68 mA / cm 2 cuando la profundidad es inferior a 300 nm, y cuando los valores de h son superiores a 300 nm, el valor alcanzará una cifra casi saturante. Esta dependencia tan débil de la altura de los nanoagujeros puede ser útil en términos de diseño y de fabricación de matrices de nanoagujeros en la práctica.

Caracterización óptica de células solares en tándem con arreglo de nanoagujeros. un Espectros de absorción frente a altura a P fija =500 nm y η =0,5. b La vista ampliada de los espectros de absorción varía de 800 a 1100 nm. c Densidad de corriente frente a altura en P fija =500 nm y η =0.5

Como principio general, cuando la onda de luz entra en la estructura de interfaz de las células solares en tándem, aparecerán los efectos de dispersión y emisión. La dispersión de la onda de luz causada por la estructura de la matriz de nanoagujeros alargará la ruta de propagación de los fotones. Para analizar más a fondo la absorción de luz de las células solares en tándem de perovskita / Si con una matriz de nanoagujeros, los experimentos simulados eligen la distribución de intensidad del campo eléctrico transversal \ ((| E | ^ {2}) \) a 500 nm, 600 nm , 700 nm, 800 nm, 900 nm y 1000 nm de longitud de onda, mientras que la altura está diseñada para ser fija ya que el valor de h permanece en 900 nm, que también se muestra en la Fig. 5. El perfil espacial de absorción óptica por unidad de volumen en x - z El plano se puede dividir en tres partes, que son perovskita, matriz de nanoagujeros y sustrato de silicio. En la parte de la matriz de nanoagujeros, el silicio estructurado está espaciado con el TiO 2 nanoagujeros llenos, que están marcados con una línea discontinua en la Fig. 5a.

Distribución de la intensidad del campo eléctrico de las células solares en tándem a una altura fija de 900 nm a longitud de onda a 500 nm, b longitud de onda a 600 nm, c longitud de onda a 700 nm, d longitud de onda a 800 nm, e longitud de onda a 900 nm y f longitud de onda a 1000 nm

La Figura 5a, b sugiere que la celda superior podría dominar la absorción de longitudes de onda cortas (<600 nm); sin embargo, el efecto antirreflectante producido por la matriz de nanoagujeros en la longitud de onda de 600 nm parece ser más sobresaliente que en la longitud de onda de 500 nm. Sin embargo, debido al menor coeficiente de absorción del silicio, su absorción en la longitud de onda media (500-600 nm) es menor que la de la estructura plana. También gracias a la existencia de nanoagujeros periódicos, también se puede observar un efecto de interferencia obvio en la capa superior de perovskita, lo que significa que la reflexión de la luz a 700 nm y 800 nm podría regresar a las células superiores y mejorar su absorción.

Siempre que la perovskita tenga un borde de absorción afilado a 850 nm, y luego, la longitud de onda a 900 nm y 1000 nm se transmitirá y será absorbida principalmente por las celdas inferiores, como se muestra en la Fig. 5e, f. Con el relleno de TiO 2 En la matriz de nanoagujeros de silicio, la diferencia de distribución periódica del índice de refracción que conduce a las celdas inferiores está destinada a respaldar los modos de conducción que se encuentran en el campo electromagnético cerca de los tándems, y el acoplamiento de la luz incidente con estos modos de conducción conduce a un aumento prominente en absorción. Para ilustrar la viabilidad de este enfoque, se simularon cuatro casos diferentes para realizar análisis bajo diferentes alturas de matriz de nanoagujeros. Todas estas absorciones tienen los mismos parámetros de matriz de nanoagujeros que η =0.5 y P =500 nm, y su luz de longitud de onda incidente se fija en 900 nm, como se muestra en la Fig. 6. La interacción de la interacción de modos guiados soportados se mejora significativamente a lo largo de con el aumento de la altura de los nanoagujeros.

Distribución de la intensidad del campo eléctrico a 900 nm de células solares en tándem con una matriz de nanoagujeros en función de la altura a h =100 nm, b h =300 nm, c h =600 nm, d h =900 nm

Conclusiones

En resumen, este artículo estudió la combinación de células solares en tándem de perovskita / silicio con la matriz de nanoagujeros como una forma práctica para que un dispositivo logre un dispositivo en tándem de alta eficiencia. Hemos descubierto que si un conjunto optimizado de matriz de nanoagujeros η =0.5 y P =500 nm aumenta desde el valor de 14,53 mA / cm 2 hasta 15,68 mA / cm 2 cuando la profundidad de la matriz es inferior a 300 nm, dicho dispositivo puede servir como premisa para una alta eficiencia. Luego, a través de la introducción de una matriz de nanoagujeros llena de TiO 2 , hemos demostrado además que el modo de absorción de luz de las células en tándem se convertiría en un modo mixto con varios modos de absorción de luz. La reducción selectiva de la longitud de onda corta conduce a la disminución de la absorción de fotones de longitud de onda corta; sin embargo, la interferencia que generó la captura de luz en la celda superior y la captura de luz guiada por índice en la celda inferior puede funcionar como una mejora significativa de la absorción selectiva del tándem. Los resultados experimentales anteriores demostraron que es una forma prometedora de mejorar la absorción de células solares en tándem de perovskita / silicio.

Disponibilidad de datos y materiales

Las conclusiones a las que se llega en este manuscrito se basan en los datos (texto principal y figuras) presentados y mostrados en este documento.

Abreviaturas

FDTD:

Dominio del tiempo de diferencia finita


Nanomateriales

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