ATP Electronics asegura suministro DDR3 con módulos 8‑Gb in‑house ante transición a DDR4

ATP Electronics ha anunciado su compromiso de proveer sus propios componentes DDR3 8‑Gb de alta densidad, asegurando suministro fiable de memoria DDR3 para sistemas de redes y embebidos que aún no pueden transicionar a plataformas más nuevas.

Contexto de fin de vida (EOL) en la industria

Con la industria moviéndose rápido a DDR4, varios fabricantes líderes ya declararon end‑of‑life (EOL) para módulos DDR3 basados en chips 8‑Gb, y emitieron avisos EOL para los componentes subyacentes.

Módulos propietarios con ICs 8‑Gb caracterizados

Los módulos DDR3 propietarios de ATP se construyen desde ICs 8‑Gb rigurosamente caracterizados y testados. Fabricados a los exigentes estándares de ATP usando tecnología de proceso de 2 nm, cada chip pasa un extenso programa de test que mejora el rendimiento global del módulo.

Libres de vulnerabilidad row‑hammer

Diseñados para ser libres de vulnerabilidades row‑hammer, los componentes DDR3 de ATP eliminan el riesgo de bit flips aleatorios causados por fuga de carga. A nivel de módulo, un test 100 % durante burn‑in (TDBI) se integra en producción para garantizar calidad top‑tier.

Configuraciones y opciones

Disponibles en configuraciones monolithic 1‑chip‑select (1CS) y dual‑chip‑select (2CS), ATP ofrece una gama de módulos de memoria:

• DIMMs, SO‑DIMMs y Mini‑DIMMs 1CS a 16 GB y 1600 MT/s.
• DIMMs 2CS de 16 GB a 32 GB a 1333 MT/s o 1600 MT/s.
• Mini‑DIMMs 2CS a 8 GB y 1600 MT/s.
• Opciones ECC y non‑ECC en todos los factores de forma.

Compromiso continuo con memoria legacy

ATP sigue totalmente comprometida a soportar requisitos de memoria legacy. En septiembre 2018, ATP firmó acuerdo de partnership con Micron Technology para asegurar disponibilidad continua de SO‑DIMMs, UDIMMs y RDIMMs Micron DDR2 tras anuncios EOL de Micron. Bajo el acuerdo, ATP fabrica módulos DRAM DDR2 para clientes que aún dependen de plataformas que soportan estos tipos de memoria.