Transistor DMOS:sus capacidades y estructuras explicadas

El transistor DMOS de doble difusión hace maravillas en los circuitos eléctricos que más gente necesita entender. El transistor es una llave maestra en los módulos de control de frenos (BCM), módulos de control de transmisión (TCM), módulos de control del motor y más. Por ejemplo, los convertidores del tipo flyback, DC, autooscilante y directo tienen transistores DMOS instalados. Este artículo es importante porque será informativo y detallado al explicar la difusión de polaridad.

Obtener información llena de hechos es la mejor manera de comprender y apreciar este tema. Este artículo lo ayudará a conocer el transistor DMOS, la estructura, las capacidades y las características que distinguen al CMOS del DMOS.

¿Qué es el transistor DMOS?

Los DMOS FET son acrónimos del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de doble difusión. Este transistor se encuentra entre la familia de transistores MOSFET de canal N de potencia de RF. El nombre de este MOSFET de potencia comercial proviene de una forma de secuencia en la que opera el transistor. Este dispositivo eléctrico funciona primero difundiendo el sustrato dopado con p. Luego, siguiendo posteriormente con la difusión de fuente n+ altamente dopada. Esta actividad ayuda a mantener los niveles de potencia en un transistor bipolar de doble difusión.

Además, el MOSFET de doble difusión funciona mediante la automatización Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) para circuitos integrados inteligentes. Además, su estructura física ayuda con la actividad de doble difusión, perfecta para amplificadores de potencia de audio. Por lo tanto, es un dispositivo semiconductor de potencia común. La región de deriva y la región p son los principales trabajadores en el proceso de difusión. Además, el diseño de los MOSFET de potencia tiene su región p con más profundidad.

Este material semiconductor particular es un transistor de uso común. La popularidad se debe a su capacidad para superar todos los obstáculos del circuito integrado bipolar no contaminado. En particular, algunas de las limitaciones incluyen la reducción de la cantidad de disipación de energía, ya que carece del requisito de conducción actual.

Además, funciona de manera eficiente en cambiar de aplicación cuando aplica la cantidad correcta de corriente base.

(transistores).

Es importante destacar que la longitud del canal, el control del voltaje de ruptura y la resistencia de acceso son características vitales de este material semiconductor. Estos factores son importantes porque las dos impurezas dopantes poseen diferentes velocidades de difusión lateral. La tasa de difusión lateral ayuda a decidir la longitud del canal y ayuda con el suministro de energía de carga. Además, estas impurezas dopantes tienen una dosis de implantación adicional. Además, las impurezas dopantes acceden al DMOS FET a través de una abertura en la capa de polisilicio.

Debido a esta característica, esta estructura de dispositivo de potencia tiene una longitud de canal corta desde el paso litográfico en el proceso del usuario. En particular, existen numerosos diseños del transistor DMOS. Sin embargo, los diseños dependen principalmente del rango de voltaje y potencia máxima que opera el transistor.

Por lo tanto, puede usar el transistor DMOS en equipos de entretenimiento, equipos industriales y equipos de oficina. Además, puede usarlo en acondicionadores de aire, máquinas expendedoras y calentadores de agua.

(transistores sobre un fondo blanco)

Estructura de MOS de doble difusión (DMOS)

La estructura física del MOS de doble difusión (DMOS) comprende dióxido de silicio, un sustrato de silicio, oxidación en caliente, silicio policristalino y un semiconductor. Además, el circuito de alimentación cambia de clasificación actual debido a la electricidad que se infiltra en él. Además, los agujeros con cargas positivas pueden sufrir un dopaje básico del amalgama que rodea los electrodos de puerta y el semiconductor.

(Diagrama de la Estructura DMOS)

Explicación

La extensión de la terminación de la unión producida por las difusiones de tipo n+ y p debajo del óxido de la puerta controla la longitud del canal. Además, la longitud del canal de la estructura básica puede ser las dimensiones laterales entre la unión del sustrato p-n y la unión p-n+. En particular, esta dimensión del canal puede tener una longitud de aproximadamente 0,5 mm.

Primero, cuando hay un aumento en el voltaje de operación hacia los electrodos de puerta, los electrones pasan por el transistor. Luego, los electrones se mueven de la región p a la región n. A continuación, una conexión eléctrica a través del óxido metálico activa y desactiva la capa de inversión de la región del sustrato p. Este proceso ocurre debido al comando del voltaje de la puerta. En particular, la posición de la puerta está entre el terminal de origen (región p) y el terminal de drenaje (región n). Finalmente, los electrones (portadores) parten después de un viaje por la región n.

Es importante destacar que debe saber que la sustancia de tipo n tiene un bajo nivel de dopaje. Por lo tanto, hay suficiente espacio para considerar la expansión de la capa de agotamiento entre los terminales de fuente y drenaje. Además, esta propiedad da como resultado un voltaje de ruptura más alto entre el terminal de drenaje y el terminal de fuente.

El FET de agotamiento del voltaje de drenaje a fuente ha experimentado varios desarrollos. En consecuencia, el dispositivo se ha convertido en uno de los principales transistores de efecto de campo de potencia. Sin embargo, el dispositivo DMOS inicial era muy grande debido a sus estructuras laterales y su inductancia de drenaje. Esta característica resultó en la compensación de las ventajas del dispositivo. Como resultado, se inició el diseño y desarrollo de la extensión vertical de la estructura vertical.

(imagen de transistores de potencia).

¿Qué pueden hacer los transistores DMOS?

A continuación se muestran algunos de los atributos del transistor MOS de doble difusión.

• En primer lugar, esta electrónica de potencia tiene una densidad de corriente demasiado alta con las correspondientes clasificaciones de voltaje de ruptura. Por lo tanto, puede lograr esta propiedad a partir del bajo nivel de dopaje en la región entre las regiones de drenaje y canal.
• En segundo lugar, el DMOS es bastante similar al transistor de unión bipolar. En particular, la similitud se debe a la alta corriente de base, las características del voltaje de ruptura y la alta frecuencia.
• En tercer lugar, el FET de agotamiento de voltaje puede cambiar la velocidad a un megavelocidad en ciclos de energía de alta frecuencia sin detectar pérdida de energía.
• Además, el transistor de efecto de campo puede admitir señales de conexión conductivas del tipo de banda ancha. Es importante destacar que esta propiedad hace que la capacitancia y la resistencia en estado activo disminuyan y mantengan una inyección de carga baja.
• Además, la capa semiconductora de la región p tiene una implantación adicional de impurezas dentro de las regiones semiconductoras, lo que garantiza un control de punzonado adecuado. Además, la caída de voltaje del umbral no se sale de control, y eso se debe al nivel de dopaje ligero en la región de deriva. En consecuencia, la saturación de velocidad pasa y la región de drenaje es el gemelo idéntico de la región de deriva.
• A continuación, utiliza todas las matrices de transistores en transistores DMOS para finalizar el buen proceso de conexión eléctrica.
• Además, estos MOSFET de alto voltaje brindan eficiencia energética en comparación con un transistor de bajo voltaje. Los dispositivos de alimentación necesitan una eficiencia energética adecuada para que funcionen.
• Por último, pueden trabajar en los lados bajo y alto según la tarea y los portadores de carga.

(una silueta de un transistor de unión bipolar).

¿Cuál es la diferencia entre CMOS y DMOS?

El semiconductor complementario de óxido de metal (CMOS) se encuentra entre los tipos de dispositivos semiconductores. El MOSFET tiene un consumo de energía sin una alta corriente estática y capacitancia de óxido. Además, el MOSFET produce una pequeña cantidad de calor residual y una resistencia de canal que sigue siendo bastante alta. Además, el uso de energía se mantiene bajo, lo cual es una ventaja.

El CMOS funciona con conjuntos de transistores para construir chips de memoria, sensores de imagen y otros circuitos digitales. Además, el CMOS se trata de un conjunto intrincado de métodos que se combinan perfectamente con los transistores del producto. El CMOS utiliza voltaje de salida cuando está bajo una conexión conductiva. En consecuencia, el nivel de complejidad del circuito puede controlar el voltaje.

Por el contrario, el DMOS utiliza un gran flujo de energía y tiene una corriente de drenaje que controla el voltaje de drenaje. Utiliza principalmente el dispositivo como un interruptor de frecuencia alta y rápida. Además, la composición del dispositivo proviene de la oxidación y varios silicios. El proceso de doble difusión necesita la puerta, el cuerpo, la fuente y el drenaje. Además, maneja la acumulación de corriente eléctrica sin necesidad de una corriente eléctrica detectable.

(Sensor CMOS de una cámara).

Resumen

El transistor DMOS es una estructura que emplea doble difusión con la región p y la región n como conductores. Es importante destacar que los transistores DMOS son cruciales en la creación de circuitos y son energéticamente eficientes. Además, DMOS y CMOS son muy revolucionarios ya que ayudan enormemente al mundo de la tecnología.

Esperamos que este artículo te sea de gran ayuda. Comuníquese con nosotros para obtener más información sobre este artículo o cualquier circuito.