Transistores de Perovskita de Alto Rendimiento Ahora Imprimibles: Avance de POSTECH

Un equipo de investigación de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Pohang (POSTECH) ha mejorado el rendimiento de un transistor semiconductor tipo-p usando perovskita de haluro metálico inorgánico. Una de las mayores ventajas de la nueva tecnología es que permite transistores de perovskita procesados en solución ser simplemente impresos como circuitos tipo semiconductor.

Los transistores basados en perovskita controlan la corriente combinando semiconductores tipo-p que exhiben movilidades de huecos con semiconductores tipo-n. Comparado con los semiconductores tipo-n que han sido estudiados activamente hasta ahora, fabricar semiconductores tipo-p de alto rendimiento ha sido un desafío.

Muchos investigadores han intentado utilizar perovskita en semiconductores tipo-p por su excelente conductividad eléctrica, pero su pobre rendimiento eléctrico y reproducibilidad han obstaculizado la comercialización.

Para superar este problema, los investigadores usaron el haluro metálico inorgánico modificado: yoduro de estaño de cesio (CsSnI3), para desarrollar el semiconductor de perovskita tipo-p y fabricaron el transistor de alto rendimiento basado en este. El transistor exhibe alta movilidad de huecos de 50cm²V^-1s^-1 y más y una relación de corriente encendido/apagado de más de 108. Este es el rendimiento más alto registrado entre los transistores semiconductores de perovskita desarrollados hasta ahora.

Al convertir el material en solución, los investigadores lograron simplemente imprimir el transistor semiconductor tipo-p como si imprimieran un documento. Dado que este método no solo es conveniente sino también rentable, puede llevar a la comercialización de dispositivos de perovskita en el futuro.

"El nuevo material semiconductor y transistor desarrollado pueden ser ampliamente aplicables para circuitos lógicos en pantallas de alta gama y en dispositivos electrónicos vestibles. También pueden usarse en circuitos electrónicos apilados y dispositivos optoelectrónicos apilándolos verticalmente con semiconductores de silicio", explicó el Profesor Yong-Young Noh.