Transistores, híbridos
En esencia, el IGFET controla la corriente base de un BJT, que maneja la corriente de carga principal entre el colector y el emisor. De esta manera, hay una ganancia de corriente extremadamente alta (ya que la puerta aislada del IGFET prácticamente no extrae corriente del circuito de control), pero la caída de voltaje del colector al emisor durante la conducción completa es tan baja como la de un BJT ordinario.
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