Transistores: IGFET (MOSFET) – Modos depleción y realce explicados
Los Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada (IGFET), comúnmente llamados MOSFETs, son la columna vertebral de los circuitos digitales y de potencia modernos. Entender cómo su voltaje de gate controla el canal conductor es esencial para diseño confiable.
En el diagrama anterior, los dos símbolos —uno con línea sólida y otro con línea discontinua— distinguen entre dispositivos de modo depleción y modo realce.
- MOSFET de modo depleción: Aplicar un voltaje de gate que es opuesto en polaridad a la fuente aleja portadores, estrechando el canal y eventualmente apagando el dispositivo.
- MOSFET de modo realce: Un voltaje de gate de la misma polaridad que la fuente atrae portadores, ensanchando el canal y permitiendo conducción de fuente a drenaje.
Estos principios de operación significan que los transistores de modo depleción actúan como interruptores normalmente encendidos, mientras que los de modo realce son normalmente apagados y requieren una señal de gate para conducir.
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