Transistores, efecto de campo de puerta aislada (IGFET o MOSFET)
Tenemos los símbolos para los MOSFET del modo de agotamiento y del modo de mejora; observe las líneas discontinuas frente a las continuas.
En un modo de agotamiento, el voltaje de la compuerta MOSFET cierra el canal conductor desde la fuente (S) al drenaje (D).
Con un modo de mejora, el voltaje de la compuerta del MOSFET abre el canal conductor desde la fuente hasta el drenaje.
HOJAS DE TRABAJO RELACIONADAS:
- Hoja de trabajo de transistores de efecto de campo de puerta aislada
Tecnología Industrial
- Función de puerta básica
- Transistores, bipolares
- Transistores, efecto de campo de unión (JFET)
- Transistores, híbridos
- Introducción a los transistores de efecto de campo de puerta aislada
- Operación en modo activo (IGFET)
- El amplificador de fuente común (IGFET)
- El amplificador de drenaje común (IGFET)
- El amplificador de puerta común (IGFET)
- Técnicas de polarización (IGFET)
- IGFET Quirks