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Amplificador de Fuente Común (IGFET): Diseño, Sesgo y Rendimiento

Amplificador de Fuente Común (IGFET)

La etapa de fuente común (CS) es el caballo de batalla del diseño de amplificadores MOSFET (IGFET). Ofrece la mayor ganancia de voltaje entre las tres topologías básicas de MOSFET, lo que la hace ideal para aplicaciones de audio, RF y señal mixta.

Características Clave

Sesgo y Punto de Operación DC

El sesgo adecuado asegura operación en la región de saturación, donde el MOSFET se comporta como una fuente de corriente controlada por voltaje. Esquemas de sesgo comunes incluyen:

Opciones de Carga

Tres configuraciones de carga típicas se usan para intercambiar ganancia, swing de salida y linealidad:

Respuesta en Frecuencia

La capacitancia Miller (Cgs·(1 – Av)) reduce dramáticamente el ancho de banda de alta frecuencia. Técnicas para mitigar esto incluyen:

Ejemplo Práctico de Diseño

 # Parámetros VDD = 5.0 V Rsource = 1 kΩ Rd = 10 kΩ M1 = MOSFET canal N (Vth = 1.5 V) # Cálculo de sesgo VGS = VDD – ID·(Rd + Rsource) # Elija ID = 2 mA → VGS ≈ 3.0 V # Ganancia gm = 2·ID / (VGS – Vth) ≈ 1.33 mS Av ≈ –gm·(Rd || ro) ≈ –12 V/V 

Aplicaciones

Al dominar el sesgo, selección de carga y mitigación del efecto Miller, los diseñadores pueden aprovechar el potencial completo del amplificador de fuente común para una amplia gama de circuitos electrónicos.

Tecnología Industrial

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