Se pueden imprimir transistores de perovskita de alto rendimiento

Un equipo de investigación de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Pohang (POSTECH) ha mejorado el rendimiento de un transistor semiconductor de tipo p utilizando perovskita de haluro de metal inorgánico. Una de las mayores ventajas de la nueva tecnología es que permite que los transistores de perovskita procesados ​​en solución se impriman simplemente como circuitos de tipo semiconductor.

Los transistores basados ​​en perovskita controlan la corriente mediante la combinación de semiconductores de tipo p que exhiben movilidades de agujeros con semiconductores de tipo n. En comparación con los semiconductores de tipo n que se han estudiado activamente hasta ahora, la fabricación de semiconductores de tipo p de alto rendimiento ha sido un desafío.

Muchos investigadores han intentado utilizar perovskita en semiconductores de tipo p por su excelente conductividad eléctrica, pero su bajo rendimiento eléctrico y reproducibilidad han dificultado la comercialización.

Para superar este problema, los investigadores utilizaron el haluro de metal inorgánico modificado:triyoduro de cesio y estaño (CsSnI3), para desarrollar el semiconductor de perovskita de tipo p y fabricaron el transistor de alto rendimiento basado en esto. El transistor exhibe una alta movilidad de agujeros de 50 cm ² V ^-1 s ^-1 y más y una relación de corriente de encendido/apagado de más de 108. Este es el rendimiento más alto registrado entre los transistores de semiconductores de perovskita que se han desarrollado hasta ahora.

Al convertir el material en una solución, los investigadores lograron simplemente imprimir el transistor semiconductor tipo p como si estuvieran imprimiendo un documento. Dado que este método no solo es conveniente sino también rentable, puede conducir a la comercialización de dispositivos de perovskita en el futuro.

“El material semiconductor y el transistor recientemente desarrollados pueden ser ampliamente aplicables para circuitos lógicos en pantallas de alta gama y en dispositivos electrónicos portátiles. También se pueden usar en circuitos electrónicos apilados y dispositivos optoelectrónicos apilándolos verticalmente con semiconductores de silicio”, explicó el profesor Yong-Young Noh.