Flash SpiStack dual‑die NOR+NAND de Winbond potencia la placa de desarrollo NXP Layerscape LS1012A

Winbond Electronics ha anunciado que su producto de almacenamiento de código SpiStack dual‑die NOR+NAND está ahora integrado en la placa FRWY‑LS1012A de NXP Semiconductors, que utiliza el procesador de comunicaciones Layerscape LS1012A. NXP seleccionó el W25M161AW SpiStack para el código de arranque y el sistema operativo Linux de la placa: la flash NOR serial de 16 Mbit proporciona arranque rápido del sistema, mientras que la NAND serial de 1 Gbit ofrece almacenamiento de alta densidad para el SO.

Construcción stacked‑die y Chip‑Select por software

La construcción stacked‑die del SpiStack, combinada con la función Chip‑Select por software de Winbond, permite que un die NOR de arranque rápido y un die NAND de alta capacidad coexistan en un único paquete WSON de 8 terminales. La huella del paquete mide 8 mm × 6 mm, manteniendo factor de forma compacto con pin‑out estándar.

Rendimiento de lectura líder en la industria

Durante la Flash Memory Summit, los visitantes pudieron ver sistemas de demostración que muestran el rendimiento de lectura líder del sector del W25N01JW High‑Performance Serial NAND. El chip alcanza una tasa de transferencia de 83 MB/s sobre interfaz Quad SPI (QSPI), y una interfaz dual‑quad de dos chips impulsa el rendimiento a 166 MB/s.

Esta velocidad de lectura —aproximadamente cuatro veces más rápida que dispositivos serial NAND existentes— significa que el W25N01JW puede reemplazar flash SPI NOR tradicional en aplicaciones automotrices como almacenamiento de clúster de instrumentos y sistemas Center Information Display (CID). A medida que las pantallas crecen (7” y más) y los gráficos se vuelven más sofisticados, las demandas de memoria suben a 1 Gbit o más. La NAND serial ofrece menor coste unitario y menor área de placa por megabit a estas capacidades, convirtiéndola en opción atractiva para OEMs.