Winbond lanza memoria NAND 2Gb+2Gb y LPDDR4x para modems 5G CPE

Winbond Electronics ha presentado el W71NW20KK1KW, una solución compacta de memoria dual‑die a 1,8 V que fusiona 2 Gb de NAND Flash SLC con 2 Gb de DRAM LPDDR4x en un paquete multi‑chip (MCP) de 8,0 × 9,5 × 0,8 mm y 149 bolas BGA.

Diseñado específicamente para modems 5G Customer Premises Equipment (CPE), el W71NW20KK1KW ofrece el equilibrio óptimo de resistencia, velocidad y eficiencia energética requerido para despliegues 5G estáticos.

Las unidades CPE 5G estáticas suelen operar cómodamente con 2 Gb de NAND y 2 Gb de DRAM, haciendo del W71NW20KK1KW una solución ideal y rentable que consolida ambos tipos de memoria en un solo paquete.

Al simplificar la pila de memoria, los fabricantes pueden reducir espacio en placa, recortar conteo de componentes y bajar costes de producción —acelerando el despliegue de 5G como alternativa viable a cobre o xDSL óptico en la última milla.

Características NAND SLC

• Resistencia y integridad de datos sobresalientes.
• Tamaño de página 2 KB + 128 B permite uso de ECC hasta 8‑bit; el dispositivo solo requiere ECC 4‑bit para operación fiable.

Rendimiento de interfaz

• Interfaz de 8 bits de ancho y bloques de 64 páginas.
• Tiempo máximo de lectura de página: 25 µs.
• Tiempo típico de programación de página: 250 µs.

Garantizando acceso rápido a datos para cargas de trabajo 5G exigentes. El W71NW20KK1KW ejemplifica el compromiso de Winbond de entregar soluciones de memoria alto rendimiento, bajo coste que habilitan despliegues broadband de próxima generación.