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Proceso Integral de Fabricación de Circuitos Integrados

Visión General del Proceso

Fabricación circuitos integrados (IC): creación capas ultrafinas material semiconductor sobre sustrato (silicio), alterables químicamente a nivel atómico para funcionalidad: transistores, capacitores, resistencias, diodos. Avance vs. diseños previos (componentes individuales montados en protoboard). Foto-litografía + grabado en instalación microchips → miles millones componentes en pocos cm² (2011).

Evolución Histórica

Foto-litografía y Grabado Químico

Componentes tan pequeños → única forma efectiva: grabado químico con reacciones superficie wafer por exposición luz. Máscara/patrón circuito → luz a través sobre wafer recubierto fotorresistente. Horneado alta T° solidifica patrón. Solución disolvente elimina región irradiada o enmascarada (según fotorresistente positivo/negativo). Resultado: capa fina componentes interconectados anchura = longitud onda luz (UV o rayos X).

Dopaje y Uniones PN

Dopaje silicio / implantación átomos (fósforo/boro) → regiones carga positiva/negativa (P/N). Encuentro = unión de transmisión → componente universal unión PN. Ancho 1000-100 nm (2011) ≈ glóbulo rojo humano (~100 nm). Proceso químico adaptado → unión actúa como transistor, resistencia, capacitor, diodo.

Control Calidad y Rentabilidad

Fallo proceso → wafer completo desechado (irreparable). Nivel calidad extremo: ICs modernos (2011) = muchas capas circuitos apiladas + interconectadas → más potencia. Capas aislantes/metálicas entre circuitos → funcionalidad/fiabilidad. Muchos chips rechazados, pero los que pasan tests eléctricos/microscopía = altísimo valor → proceso altamente rentable. ICs controlan casi todo dispositivo electrónico moderno (2011): PCs, móviles, TV, audio, consolas, autos, aviones, relojes, termostatos.

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