Hexion inaugura nuevo centro de I+D de 4.800 m² en Shanghái para impulsar innovación en recubrimientos al agua
Fuente | Hexion
Hexion Inc. (Columbus, Ohio, EE. UU.) ha anunciado la finalización de la construcción de su nuevo Centro de Desarrollo de Aplicaciones (ADC) en Shanghái como parte de sus esfuerzos globales para fortalecer aún más sus capacidades de investigación y desarrollo y servicios técnicos. El nuevo ADC de 4.800 metros cuadrados apoyará el desarrollo de nuevos productos y la colaboración con clientes para acelerar el crecimiento en recubrimientos al agua y aplicaciones compuestas.
"El nuevo ADC es otro ejemplo de nuestro compromiso continuo de invertir estratégicamente en nuestra huella de I+D para aumentar oportunidades de innovación y estimular el crecimiento", dice Craig A. Rogerson, presidente, CEO y chairman. "Con líderes comerciales y de I+D trabajando en proximidad más cercana, aprovecharemos sus diversas habilidades en un entorno tecnológico de clase mundial ... la inversión también demuestra nuestro compromiso continuo de incorporar principios de sostenibilidad en nuestras iniciativas de I+D y desarrollo de productos".
Según Rogerson, Hexion espera que el nuevo ADC fortalezca la posición líder de la empresa en China para aplicaciones de energía eólica desarrollando soluciones de próxima generación basadas en sistemas epoxi EPIKOTE y EPIKURE. El ADC también apoyará más innovación basada en los sistemas de resina EPIKOTE y EPONOL de Hexion para aplicaciones automotrices.
Otras soluciones enfocadas en el medio ambiente que se espera crezcan con el apoyo del ADC incluyen:
- Sistema NextGen Epoxy Al agua, ofreciendo rendimiento de recubrimiento comparable a sistemas base solvente mientras proporciona compuestos orgánicos volátiles más bajos
- Éster glicidílico Cardura, para la producción de resinas acrílicas poliol al agua y de sólidos ultra-altos
- Ésteres vinílicos VeoVa, una gama de monómeros especializados que permiten resinas asequibles para recubrimientos protectores de alto rendimiento 1K libres de isocianato.
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