ergFET: Sensor de Estado Sólido Avanzado de NASA para Detectar Campos Eléctricos y Caracterizar Materiales
El Centro de Investigación Langley de la NASA ha desarrollado un circuito integrado de estado sólido basado en un transistor de efecto de campo (FET). Llamado ergFET, el sensor caracteriza las propiedades electrónicas de los materiales, permitiendo la detección de objetos como equipaje, cableado y líquidos, e incluso puede usarse para imágenes médicas como EKG remoto.
Este transistor de efecto de campo de puerta de equilibrio inverso (ergFET) despliega un electrodo cerca de la puerta del transistor para controlar y revertir corrientes de fuga típicas en transistores que pueden llevar a errores de medición. Puede construirse en un array para permitir imágenes de mayor resolución y es un dispositivo de estado sólido libre de partes móviles. Esto permite diseños de sensores portátiles y de mano.
La NASA busca activamente licenciatarios para comercializar esta tecnología. Contacte al Concierge de Licencias de la NASA en Esta dirección de correo electrónico está protegida contra spambots. Necesita JavaScript habilitado para verla. o llame al 202-358-7432 para iniciar conversaciones de licenciamiento. Siga este enlace para más información .
Sensor
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