IBM y Samsung Presentan Semiconductores Ultraeficientes que Reducen Consumo Energético un 85%

IBM y Samsung Electronics han presentado un diseño revolucionario de semiconductor que podría reducir el consumo energético en un 85% frente a los chips más avanzados actuales.

Este avance permite multitud de nuevas aplicaciones —desde criptominería y cifrado de datos eficientes energéticamente hasta baterías móviles que podrían durar más de una semana sin recarga—, según las compañías.

Estos chips también podrían alimentar una gama de dispositivos IoT y edge que consumen menos energía, permitiéndoles operar en entornos diversos como boyas oceánicas, vehículos autónomos y naves espaciales.

Lo que diferencia a este diseño es el uso de transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET) que se sitúan perpendiculares a la superficie del chip, permitiendo que la corriente fluya verticalmente en lugar de lateralmente. En chips convencionales, los transistores yacen planos y conducen lateralmente.

«El proceso VTFET aborda muchas barreras de rendimiento y extiende la Ley de Moore al permitir mayor flujo de corriente con menos energía desperdiciada», explicaron Brent Anderson, Arquitecto y Gestor de Programa VTFET, y Hemanth Jagannathan, Tecnólogo de Hardware VTFET e Investigador Principal.

Al relajar restricciones físicas en la longitud de la compuerta del transistor, grosor del espaciador y tamaño de contacto, los VTFET pueden optimizarse tanto para rendimiento como para consumo energético, dijeron los investigadores.

«La Ley de Moore se acerca a barreras aparentemente insuperables», señaló el equipo. «Al enfocarse en una nueva dimensión, la innovación VTFET ofrece una vía para continuar la tendencia de escalado de transistores en un área fija».

Intel también ha anunciado planes para explorar el apilamiento vertical de chips como estrategia para mantener el ritmo de la Ley de Moore.

Recibe insights regulares suscribiéndote a los boletines de Network World.