Entendiendo ROM, PROM, EPROM y EEPROM: Diseño, Programación e Identificación

La memoria de solo lectura (ROM) comparte muchos principios de diseño con la RAM, pero su mecanismo de atrapado está diseñado para un único ciclo de escritura irreversible. La ROM más básica usa diminutos fusibles que pueden fundirse selectivamente para codificar información binaria; una vez que un fusible se rompe, los datos no pueden alterarse, haciendo estos circuitos inherentemente programables una sola vez.

Debido a esta capacidad de escritura única, tales dispositivos se conocen como Memorias de Solo Lectura Programables (PROMs). Algunas memorias programables, sin embargo, pueden reiniciarse con considerable esfuerzo, creando un híbrido entre RAM y ROM. Estas se llaman Memorias de Solo Lectura Programables y Borrables (EPROMs) —un nombre que refleja su habilidad única de ser borradas y reprogramadas.

Las EPROMs están disponibles en dos variantes principales: EPROMs borrables por UV (UV-EPROM) y EPROMs borrables eléctricamente (EEPROM). Ambos tipos dependen de MOSFETs con latches de carga capacitiva. Las UV-EPROMs se borran exponiendo el chip a luz ultravioleta, mientras que las EEPROMs pueden borrarse y reescribirse eléctricamente.

Las EPROMs son fácilmente identificables por una ventana de vidrio transparente que expone el die de silicio a la luz. Tras programar, la ventana se sella con cinta para proteger los datos de iluminación ambiental. La programación típicamente requiere voltajes más altos que los usados durante operación de solo lectura.

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